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IPI023NE7N3 G 零件图片（仅供参考）

IPI023NE7N3 G
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IPI023NE7N3 G 规格参数

  • 型号:IPI023NE7N3 G
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO262-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 273A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:206 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14400 pF @ 37.5 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:PG-TO262-3
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
  • IPI023NE7N3 G，Spansion（Cypress，英飞凌）产品一站式供应商。
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IPI023NE7N3 G 基本参数：

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