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IPD30N08S2L21ATMA1 零件图片(仅供参考)

IPD30N08S2L21ATMA1
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IPD30N08S2L21ATMA1 规格参数

  • 型号:IPD30N08S2L21ATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO252-3-11
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20.5 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 80A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):72 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1650 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):136W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3-11
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • IPD30N08S2L21ATMA1,Spansion(Cypress,英飞凌)产品一站式供应商。
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IPD30N08S2L21ATMA1 基本参数:

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