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IPB80N06S2-09 零件图片（仅供参考）

IPB80N06S2-09
Spansion 订单到达，马上发货

IPB80N06S2-09 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB80N06S2-09
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.8 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 125A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2360pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：190W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-3
  • IPB80N06S2-09，Spansion（Cypress，英飞凌）产品一站式供应商。
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IPB80N06S2-09 基本参数：

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