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BSP613P L6327 零件图片(仅供参考)

BSP613P L6327
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BSP613P L6327 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSP613P L6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 2.9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):875pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:PG-SOT223-4
  • BSP613P L6327,Spansion(Cypress,英飞凌)产品一站式供应商。
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BSP613P L6327 基本参数:

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