AIMZHN120R020M1TXKSA1 零件图片（仅供参考）
AIMZHN120R020M1TXKSA1 规格参数
- 型号:AIMZHN120R020M1TXKSA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TO247-4-14
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC_DISCRETE
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 43A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 13.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+23V，-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2667 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:429W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:PG-TO247-4-14
- 封装/外壳:TO-247-4
- AIMZHN120R020M1TXKSA1，Spansion（Cypress，英飞凌）产品一站式供应商。
